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XR3415L
P沟道快速开关MOSFET，超低栅极电荷，具备出色的CdV/dt效应衰减，采用先进的高单元密度沟槽技术
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- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR3415L
- 商品编号
- C53454468
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.08W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.022nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 123pF |
商品概述
XR3415L是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。XR3415L符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。静电放电（ESD）等级为2500V人体模型（HBM）。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术