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XR65R500FT
超结技术功率MOSFET，低导通电阻，适用于AC-DC电源转换和工业电源应用
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- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR65R500FT
- 商品编号
- C53454484
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 430mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 73W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.6nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 470pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 470fF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
XR65R500FT采用超结技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。这款超结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源要求。XR65R500FT符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，且通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 超结技术
- 更低的导通电阻与面积乘积（Ron×A）性能，提高导通效率
- 极低的品质因数（FOM）带来更高效率
- 符合JEDEC工业级应用标准