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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTJD4001N

N沟道MOSFET,适用于便携式设备负载开关和电压控制小信号开关,具有高密度单元设计、高饱和电流能力和ESD保护

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品牌名称
YTL(亚特联)
商品型号
NTJD4001N
商品编号
C53432977
商品封装
SOT-363​
包装方式
编带
商品毛重
0.030067克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)340mA
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@10V
耗散功率(Pd)200mW
阈值电压(Vgs(th))1.1V
属性参数值
输入电容(Ciss)27pF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)13pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 采用高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(on)
  • 电压控制的小信号开关
  • 坚固可靠
  • 具有高饱和电流能力
  • 具备ESD保护

应用领域

  • 便携式设备的负载开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF