温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WST6066
N沟道先进功率MOSFET，低导通电阻，5V逻辑电平控制，无铅且符合RoHS标准，适用于负载开关、电池开关和DC/DC转换器
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- YTL(亚特联)
- 商品型号
- WST6066
- 商品编号
- C53432987
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 362pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 在VGS = 10V时具有低导通电阻RDS(on)
- 5V逻辑电平控制
- N沟道SOT23 - 3L封装
- 无铅，符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关
- 电池开关
- DC/DC转换器