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BMD65N340C1
BMD65N340C1
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- 描述
- 超结 MOSFET,650V,340mΩ
- 商品型号
- BMD65N340C1
- 商品编号
- C53426988
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.397619克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.4nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 781pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30.3pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
BMD65N340C1是一款功率MOSFET，采用了Bestirpower先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来了低电磁干扰（EMI）以及低开关损耗的优势。
商品特性
- 由于极低的品质因数Rdson×Qg和Eoss，损耗极低。
- 具有极高的换向鲁棒性。
应用领域
- PFC
- 6PWM
- LCD电视
- 照明
- UPS