- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BCD65N190Y1
BCD65N190Y1
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- 描述
- SiC MOSFET,650V,190mΩ
- 商品型号
- BCD65N190Y1
- 商品编号
- C53426989
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 耗散功率(Pd) | 76W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 431pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 187mΩ |
商品特性
- 采用革命性的半导体材料碳化硅
- 高阻断电压，低导通电阻
- 高速开关，极低的开关损耗
- 高速且强健的本征体二极管
应用领域
- LED驱动器
- PD充电器
- PC适配器
- 空调
- 电动自行车充电器