- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
120N04KG-KUU
N沟道,40V,120A,2.7mΩ@-10V
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- 描述
- 高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合 RoHS 和绿色产品要求，100%经 EAS 保证且具备全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- KUU
- 商品型号
- 120N04KG-KUU
- 商品编号
- C53426819
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 410pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
120N04KG采用SGT和设计，可提供出色的导通电阻（Rds(on)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流经过全面表征
- 具有高EAS，稳定性和均匀性良好
- 封装散热性能良好
应用领域
- MB/VGA Vcore开关电源
- 二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器