温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
KM1811P-23-3L
P沟道,-18V,-11A,17mΩ@-4.5V
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- P沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻、低栅极电荷，适用于负载开关或PWM应用
- 品牌名称
- KUU
- 商品型号
- KM1811P-23-3L
- 商品编号
- C53426824
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.040093克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 680pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计
- 高速开关
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理