8N10-KUU
N沟道,100V,8A,88mΩ@-10V
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- 描述
- 产品是高单元密度的沟槽式 N 沟道 MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。产品符合 RoHS 标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- KUU
- 商品型号
- 8N10-KUU
- 商品编号
- C53426821
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.163333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 改善了dv/dt能力,具备高耐用性。
- 最大结温范围(150°C)
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源



