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LWS1H65A4
P沟道功率MOSFET，采用先进SGT技术，低栅极电荷和导通电阻，快速开关，适用于电池开关、高频电路和电源管理
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- 商品型号
- LWS1H65A4
- 商品编号
- C53426728
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49644克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 82W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.648nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 142pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |