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LWD3001AD5
N+P沟道功率MOSFET，采用沟槽技术，低栅极电荷和导通电阻，适用于多种应用
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- 商品型号
- LWD3001AD5
- 商品编号
- C53426791
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1843克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.322nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 166pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 182pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
LWD3001AD5采用沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。封装形式为PDFN5×6 - 8L，符合ROHS标准和无卤标准。
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻（RDS(ON)）
- 低反向传输电容
应用领域
- DC - DC转换器
- 便携式设备
- 电源管理