温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LWS6040AS
P沟道功率MOSFET，采用先进SGT技术，低栅极电荷和导通电阻，适用于电池开关、高频电路和电源管理
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 商品型号
- LWS6040AS
- 商品编号
- C53426734
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 862pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |