TPS51216RUKT

TPS51216 为 DDR2、DDR3 和 DDR3L 内存系统提供了最低总成本和最小空间的完整电源解决方案。它集成了一个同步降压调节器控制器（VDDQ）与一个2A吸/源跟踪低压差线性稳压器（VTT）以及缓冲低噪声参考（VTTREF）。TPS51216采用了D-CAP模式，结合300kHz/400kHz频率，便于使用并实现快速瞬态响应。VTTREF以优异的0.8%精度跟踪VDDQ/2。VTT提供2A峰值吸/源电流能力，仅需10μF陶瓷电容。此外，还提供了一个专用的LDO供电输入。

TPS551216不仅提供了丰富的实用功能，还有出色的电源性能。它支持灵活的电源状态控制，在S3状态下将VTT置于高阻状态，并在S4/S5状态下放电VDDQ、VTT和VTTREF（软关断）。还具备可编程过流保护（通过低端MOSFET RDS(on)检测）、过压保护/欠压保护/欠压锁定以及热关断保护等功能。

TPS51216采用20引脚、3 mm x 3 mm QFN封装，工作环境温度范围从-40℃到85℃。

• 转换电压范围：3V 至 28V
• 输出电压范围：0.7V 至 1.8V
• 0.8% VREF 精度
• D-CAP 模式，实现快速瞬态响应
• 可选 300kHz/400kHz 开关频率
• 通过自动跳过功能优化轻载和重载下的效率
• 支持 S4/S5 状态下的软关断
• OCL/OVP/UVP/UVLO 保护
• 电源良好输出
• 2A LDO (VTT)，缓冲参考 (VTTREF)
• 2A（峰值）灌电流和拉电流
• 仅需 10µF 的陶瓷输出电容
• 缓冲、低噪声、10mA VTTREF 输出
• 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
• 支持 S3 状态下的高阻抗和 S4/S5 状态下的软关断
• 热关断
• 20 引脚，3 mm x 3 mm，QFN 封装

• DDR2/DDR3/DDR3L 内存电源供应
• SSTL_18, SSTL_15, SSTL_135 和 HSTL 终端供电