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YFW80N03DF
采用先进沟槽技术的30V N沟道增强型MOSFET，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- I/A80、VDSS/V：30、N沟MOS管、PDFN3*3-8L、最小包装量：5000PCS
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFW80N03DF
- 商品编号
- C53403611
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.181875克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.089nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 302pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 372pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
YFW80N03DF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 采用先进沟槽技术
- 具备出色的导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 可在低至4.5V的栅极电压下工作
应用领域
- 汽车照明
- 负载开关
- 不间断电源