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2SK3019
N沟道增强型MOSFET，低导通电阻、快速开关速度、低电压驱动，适用于便携式设备
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- 描述
- I/A0.1、VDSS/V：30、N沟MOS管、SOT-23、最小包装量：3000PCS
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- 2SK3019
- 商品编号
- C53403643
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 低电压驱动，使该器件非常适合便携式设备
- 驱动电路易于设计
- 易于并联