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- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
YFW50N04DF
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻、低栅极电荷，可低至4.5V栅极电压工作，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- I/A50、VDSS/V：40、N沟MOS管、PDFN3*3-8L、最小包装量：5000PCS
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFW50N04DF
- 商品编号
- C53403615
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.163211克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 192pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
YFW50N04DF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 采用先进沟槽技术
- 具有出色的导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 可在低至4.5V的栅极电压下工作
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源