- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMSA60R650D
COOLMOS DFN-8 5x6 N场 600V 7A
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- 描述
- COOLMOS，封装：DFN-8 5x6，N场，电压：600V，电流：7A，10V内阻：0.65Ω，功率：75W，CissTyp：300pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA60R650D
- 商品编号
- C53310607
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 590mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
CMSA60R650D是一款功率MOSFET，采用Cmos先进的超结技术，可实现极低的导通电阻、栅极电荷，并减少振铃趋势。因此，其开关损耗非常低，使其适用于开关应用进行了优化。此外，这些用户友好型器件通过集成齐纳二极管，具备增强的耐用性和出色的ESD能力，是设计师的理想选择。
商品特性
- 多层外延芯片技术
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 适配器
- PFC电源级
- DC-DC转换器
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