CMSA75N06
MOS管 DFN-8 5x6 N场 55V 30A
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- 描述
- MOS管,封装:DFN-8 5x6,N场,电压:55V,电流:30A,10V内阻:0.015Ω,4.5V内阻:0.017Ω,功率:40W,CissTyp:5500pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA75N06
- 商品编号
- C53310608
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CMSA75N06采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并将功率转换应用的损耗降至最低。该器件适用于开关电源(SMPS)、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管(FET)。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算机、服务器和负载点(POL)的DC/DC转换器
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器
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