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CMSL012N10
MOS管 DFN-16 10x12 N场 100V 450A
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- 描述
- MOS管，封装：DFN-16 10x12，N场，电压：100V，电流：450A，10V内阻：0.0014Ω，功率：500W，CissTyp：12900pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSL012N10
- 商品编号
- C53310613
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.957759克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 450A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 184nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 15.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.65nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CMSL012N10采用先进的SGT技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)，可用于多种应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机
- 电池管理系统（BMS）
- 负载开关
- MBR20100FCTGY
- MBRD2060CT
- F-DPSLB
- 1200*800*500mm-8c-LAIBAO
- HBP1201A005GBD6-4
- HBP1201A010GBD6-4
- HBP1201A040GPD6-4
- HBP1201A040GND6-4
- HBP1201A040GBD6-4
- HBP1201A101GND6-4
- HBP1201A101GPD6-4
- HBP1201A101GBD6-4
- HBP1201A201GPD6-4
- HBP1201D005GBD6-4
- HBP1201D010GBD6-4
- HBP1201D201GPD6-4
- KM3*8
- BMQ-CG
- 60cm*60cm-ktdb
- EVCB-70A
- A4-yklxk-s