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HL5N10
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，无铅产品，适用于电机控制、同步整流和电源管理
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL5N10
- 商品编号
- C53238098
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025413克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 218pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- V_DS = 100V
- I_D = 5A
- R_DS(on)@VGS = 10V < 100mΩ
- R_DS(on)@VGS = 4.5V < 130mΩ
- 采用先进沟槽技术
- 产品符合无铅要求
应用领域
- 电机控制
- 同步整流
- 电源管理