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HL2328
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于负载/电源开关、接口开关和逻辑电平转换
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL2328
- 商品编号
- C53238099
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024342克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 388pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 漏源电压 VDS = 100V
- 漏极电流 ID = 2A
- 在栅源电压 VGS = 10V 时，导通电阻 RDS(on) < 280mΩ
- 在栅源电压 VGS = 4.5V 时，导通电阻 RDS(on) < 310mΩ
- 先进的沟槽技术
- 符合无铅产品标准
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换