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DK130G70
内置驱动和DESAT保护的氮化镓功率管
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- 品牌名称
- DK(东科半导体)
- 商品型号
- DK130G70
- 商品编号
- C53207004
- 商品封装
- PDFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 36.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 101mΩ |
商品概述
DK130G70内置增强型氮化镓专用驱动芯片并合封了700V、101mΩ氮化镓功率管，它可以替代传统的硅基MOSFET或耗尽型氮化镓器件。该产品支持500kHz开关频率，具有零反向恢复时间，并集成了去饱和保护功能。
商品特性
- 适用于传统PWM控制器
- 集成700V、101mΩ增强型GaN功率管
- 8V至20V的宽栅极输入电压范围
- 采用自供电技术，无需外部辅助电源
- 可直接替换N沟道MOSFET
- 可通过外部栅极电阻调节开通速度
应用领域
- 反激拓扑
- PFC拓扑
- LLC拓扑
- 快充
- 适配器