商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 10.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ |
商品概述
DK450G70 内置了 E-MODE GAN 专用驱动芯片，并合封了 700V 330mΩ 氮化镓功率管，可用于替代传统的硅基 MOS 管或 D-MODE GAN。该器件支持 500 KHz 开关频率，具有零反向恢复时间，并集成了 DESAT 保护功能。
商品特性
- 适用于传统的 PWM 控制器
- 集成 700V 330mΩ 增强型 GaN 功率管
- 栅极输入电压范围宽，为 8V 至 20V
- 采用自供电技术，无需外部供电
- 可直接替换 NMOS 管
- 可通过栅极外接电阻调节开通速度
应用领域
- 反激拓扑
- PFC 拓扑
- LLC 拓扑
- 快充适配器
- LED 电源