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HCPL-4506-000E(UMW)实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HCPL-4506-000E(UMW)

含GaAsP LED的高速光耦合器,可减少开关死区时间,内置上拉电阻

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商品型号
HCPL-4506-000E(UMW)
商品编号
C53109722
商品封装
DIP-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.996311克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录逻辑输出光耦
输入类型DC
工作电压-
隔离电压(Vrms)5kV
CMTI(kV/us)30kV/us
传输速率1Mbit/s
CTR-电流传输比44%
通道数1
工作温度-40℃~+100℃
传播延迟 tpLH650ns
属性参数值
传播延迟 tpHL400ns
输入阈值电流(FH)5mA
输出电流8mA
耗散功率(Pd)145mW
输出电压-
正向压降(Vf)1.45V
直流反向耐压(Vr)20V
正向电流(If)25mA
功能特性-

商品概述

HCPL-4506包含一个砷化镓磷发光二极管,该发光二极管与一个集成的高增益光电探测器光耦合。器件间极小的传播延迟差异使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提升逆变器效率的绝佳解决方案。通过短接输出引脚6和7,可以启用片上的20-kΩ输出上拉电阻,从而在常见的智能功率模块应用中省去外部上拉电阻。规格和性能曲线图针对典型的智能功率模块应用提供。

商品特性

  • 高速1Mbit/s
  • 输入与输出间高隔离电压(Viso=5000 Vrms)
  • 工作温度范围0°C ~ 70°C内保证性能
  • 宽工作温度范围:-40°C ~ 100°C
  • 无铅且符合RoHS标准
  • 在IF = 10 mA时,电流传输比 > 44%

应用领域

  • IPM隔离
  • 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动
  • 工业逆变器

数据手册PDF