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GT020N10T
N沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：100V@@连续漏极电流(Id)：236A@@阈值电压(Vgs(th))：3.7V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：2.1mΩ@10V @@封装：TO-220
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT020N10T
- 商品编号
- C53100832
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.074克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 236A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 255W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 222nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 10.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.355nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
GT020N10T采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(Vds):100V
- 漏极电流 ID(VGS=10V 时):236A
- 导通电阻 RDS(ON)(VGS = 10V 时):2.5mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- 直流-直流转换器