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GT090P08T
P沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，适用于多种应用
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- 描述
- 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-80V@@连续漏极电流(Id)：-178A@@阈值电压(Vgs(th))：-2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：7.7mΩ@10V 8.6mΩ@4.5V @@封装：TO-220
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT090P08T
- 商品编号
- C53100827
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 178A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 490W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 173nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 11.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 950pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
GT090P08T采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS:-80V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = -10V时):-178A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -10V时):< 9mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -4.5V时):< 10mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器