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TPNX3008CBKV实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPNX3008CBKV

N沟道+P沟道MOSFET,适用于反向电池保护、负载开关、电源管理、电机控制和便携式电源适配器

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商品型号
TPNX3008CBKV
商品编号
C53100542
商品封装
SOT-563​
包装方式
编带
商品毛重
0.0185克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)900mA
导通电阻(RDS(on))300mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)300mW
阈值电压(Vgs(th))950mV
栅极电荷量(Qg)9.4nC;9.6nC
属性参数值
输入电容(Ciss)113pF;80pF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)15pF;13pF
栅极电压(Vgs)±12V;±8V

数据手册PDF