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3400B A09T-TD(56K)
采用先进沟槽技术的MOS管，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷以及适用于超低导通电阻的高密度单元设计。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- 3400B A09T-TD(56K)
- 商品编号
- C53064173
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
- 3401B A19T-TD(56K)
- AO4406-TD
- A1015-TD
- BC807-40 5C-TD(0.35)
- BC817-40 6C-TD(0.35)
- BC847B 1F-TD(0.26)
- BC857B 3F-TD(0.26)
- BZT52C5V1 W8-TD(0.33)
- C1815-TD
- HT7833-TD
- MMBD4148CC D5-TD(0.23)
- MMBD4148SE D4-TD(0.23)
- MMBT3904 1AM -TD(0.3)
- MMBT3904 1AM-TD(0.26)
- MMBT3906 2A-TD(0.26)
- MMBT5401 2L-TD(0.42)
- MMBT5551 G1-TD(0.42)
- MMBTH10 3EM-TD(0.29)
- RT9080-TD
- S8050 J3Y-TD(0.35)
- S8050 J3Y-TD(0.4)