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AO4406-TD
N沟道 30V 13A
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- 描述
- 适用于电池保护、负载开关及电源管理等领域。其优越的导通电阻和快速切换性能确保了在低压电路中的出色能效与稳定性。
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- AO4406-TD
- 商品编号
- C53064176
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1731克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AO4406-TD采用SOP8封装。
商品特性
- 30V/12A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 11.5 mΩ(最大值)
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 15.5 mΩ(最大值)
- 可靠耐用
- 采用SOP8封装
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。
- BC807-40 5C-TD(0.35)
- BC817-40 6C-TD(0.35)
- BC847B 1F-TD(0.26)
- BC857B 3F-TD(0.26)
- BZT52C5V1 W8-TD(0.33)
- C1815-TD
- HT7833-TD
- MMBD4148CC D5-TD(0.23)
- MMBD4148SE D4-TD(0.23)
- MMBT3904 1AM -TD(0.3)
- MMBT3904 1AM-TD(0.26)
- MMBT3906 2A-TD(0.26)
- MMBT5401 2L-TD(0.42)
- MMBT5551 G1-TD(0.42)
- MMBTH10 3EM-TD(0.29)
- RT9080-TD
- S8050 J3Y-TD(0.35)
- S8050 J3Y-TD(0.4)
- S8550 2TY-TD(0.35)
- S8550 2TY-TD(0.4)
- S9012 2T1-TD(0.35)