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MMBTH10 3EM-TD(0.29)
MMBTH10 3EM-TD(0.29)
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- 描述
- 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：50mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@4mA,10V 100~200 NPN
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- MMBTH10 3EM-TD(0.29)
- 商品编号
- C53064191
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 50mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 60 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 6GHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
商品特性
- 甚高频/超高频晶体管
- S8050 J3Y-TD(0.35)
- S8050 J3Y-TD(0.4)
- S8550 2TY-TD(0.35)
- S8550 2TY-TD(0.4)
- S9012 2T1-TD(0.35)
- S9012 2T1-TD(0.4)
- S9013 J3-TD(0.35)
- S9014 J6-TD(0.26)
- S9014 J6-TD(0.3)
- S9015 M6-TD(0.26)
- S9018 J8-TD(0.29)
- SS8050 Y1-TD(0.4)
- SS8050 Y1-TD(0.52)
- SS8550 Y2-TD(0.35)
- SS8550 Y2-TD(0.52)
- RT9080-TD
- SD103AW S4-TD(0.35)
- SD103AWS S4-TD(0.35)
- SMBJ100A NZ-TD(70)
- TL431-TD(0.5)
- TL432-TD(0.68)