温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2302 A2SHB-TD(80K)
采用先进沟槽技术的MOS管，适用于电池保护和其他开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款N型场效应管，适用于高效能应用。具备2.8A的电流承载能力，最高20V的工作电压，以及43mΩ的典型内阻。其VGS为12V，确保了稳定的性能表现。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- 2302 A2SHB-TD(80K)
- 商品编号
- C53064165
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
- 2302S A2SHB-TD(160K)
- 3400B A09T-TD(56K)
- 3401B A19T-TD(56K)
- AO4406-TD
- 2N2222 1P-TD(0.26)
- 2N2907 2F-TD(0.26)
- 2N3904 1AM-TD(0.26)
- 2N3906 2A-TD(0.26)
- 2SC1623 L6-TD(0.26)
- 2SC2735-TD(0.29)
- A1015-TD
- BC807-40 5C-TD(0.35)
- BC817-40 6C-TD(0.35)
- BC847B 1F-TD(0.26)
- BC857B 3F-TD(0.26)
- BZT52C5V1 W8-TD(0.33)
- C1815-TD
- HT7833-TD
- MMBD4148CC D5-TD(0.23)
- MMBD4148SE D4-TD(0.23)
- MMBT3904 1AM -TD(0.3)