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FX20ASJ-03F-VB
P沟道；电压：-30V；电流：-38A；导通电阻：33(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FX20ASJ-03F-VB
- 商品编号
- C53063649
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.94克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100% Rq测试
- 100% 非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关
- 笔记本电脑适配器开关
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