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IRLR130ATM-VB
N沟道；电压：100V；电流：15A；导通电阻：114(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRLR130ATM-VB
- 商品编号
- C53063659
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 114mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温150°C
- 经PWM优化
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-初级侧开关
- MTD10N10ELT4-VB
- NP15P06SLG-E1-AY-VB
- NP20P06SLG-E1-AY-VB
- NP28N10SDE-VB
- NP36P04SDG-E1-AY-VB
- NP50P04SLG-VB
- NTDV20P06LT4G-VB
- NVD6415ANLT4G-VB
- RFD8P06LESM-VB
- RSD046P05-VB
- RSD080P05TL-VB
- RSD100N10TL-VB
- SFT1302-TL-E-VB
- SFT1307-TL-E-VB
- SH8K32TB-VB
- SI4946CDY-T1-GE3-VB
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