- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMD6N04R2G-VB
N+N沟道；电压：60V；电流：7A；导通电阻：28(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NTMD6N04R2G-VB
- 商品编号
- C53063667
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- NVD6415ANLT4G-VB
- RFD8P06LESM-VB
- RSD046P05-VB
- RSD080P05TL-VB
- RSD100N10TL-VB
- SFT1302-TL-E-VB
- SFT1307-TL-E-VB
- SH8K32TB-VB
- SI4946CDY-T1-GE3-VB
- SiHF9620S-GE3-VB
- SIHFR9220TR-VB
- SIHLR110TL-E3-VB
- SP8K33-TB-VB
- SQ4946CEY-T1_GE3-VB
- SQD40N10-25-GE3-VB
- SQD45P03-12-GE3-VB
- SQD50P03-07-GE3-VB
- SSD2007ATF-VB
- SSD2009ATF-VB
- STD46P4LLF6-VB
- STD5NE10-VB
- NVD6415ANLT4G-VB
- RFD8P06LESM-VB
- RSD046P05-VB
- RSD080P05TL-VB
- RSD100N10TL-VB
- SFT1302-TL-E-VB
- SFT1307-TL-E-VB
- SH8K32TB-VB
- SI4946CDY-T1-GE3-VB
- SiHF9620S-GE3-VB
- SIHFR9220TR-VB
- SIHLR110TL-E3-VB
- SP8K33-TB-VB
- SQ4946CEY-T1_GE3-VB
- SQD40N10-25-GE3-VB
- SQD45P03-12-GE3-VB
- SQD50P03-07-GE3-VB
- SSD2007ATF-VB
- SSD2009ATF-VB
- STD46P4LLF6-VB
- STD5NE10-VB