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SQD50P03-07-GE3-VB
P沟道；电压：-30V；电流：-60A；导通电阻：11(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQD50P03-07-GE3-VB
- 商品编号
- C53063684
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 127W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 715pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.565nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合欧盟2002/95/EC号《关于在电子电气设备中限制使用某些有害物质指令》(RoHS指令)
- 符合RoHS*标准
- 合规