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2N7002K
N沟道增强型MOSFET，低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏、ESD保护
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- 品牌名称
- luJing(鲁晶)
- 商品型号
- 2N7002K
- 商品编号
- C53058719
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- N沟道增强型MOSFET
- 低导通电阻:RDS(ON) 低栅极阈值电压
- 低输入电容 快速开关速度
- 低输入/输出漏电流
- 静电放电保护2KV HBM