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LJ65R360P
N沟道超结MOSFET，低导通电阻、低反馈电容、快速开关、增强dv/dt能力
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- 品牌名称
- luJing(鲁晶)
- 商品型号
- LJ65R360P
- 商品编号
- C53058723
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 341mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.9nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 597pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
-更低的导通电阻RDS(ON)-更低的反向传输电容Crss-快速开关-改善的dv/dt能力
应用领域
-LED/LCD/PDP电视和显示器照明-太阳能/可再生能源/UPS微型逆变器系统-充电器+适配器-电源
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