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IPB083N10N3GATMA1-JSM实物图
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IPB083N10N3GATMA1-JSM

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品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
IPB083N10N3GATMA1-JSM
商品编号
C52948789
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.6085克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)85A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V
耗散功率(Pd)256W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)69nC
输入电容(Ciss)4.646nF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)580pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF