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BUK98150-55A/CUF -JSM

BUK98150-55A/CUF -JSM

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描述
数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):55V 连续漏极电流(Id):5.5A 导通电阻(RDS(on)):137mΩ@10V,5A 耗散功率(Pd):8W 阈值电压(Vgs(th)):2V
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
BUK98150-55A/CUF -JSM
商品编号
C52949143
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))27mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)22nC
属性参数值
输入电容(Ciss)979pF
反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)120pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

采用沟槽功率MOSFET技术,具有出色的散热封装,高密度单元设计实现低导通电阻,湿度敏感度等级为1级,环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级,无卤。

商品特性

  • VDs为60V
  • ID为6A
  • RDs(ON)(在Vgs = 10V时)小于35mΩ
  • 100%进行EAS测试
  • 100%进行VVps测试
  • SOT - 223封装

应用领域

  • 电源开关应用
  • 不间断电源
  • DC - DC转换器
  • 电机驱动器

数据手册PDF