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IPD034N06N3GATMA1-JSM
IPD034N06N3GATMA1-JSM
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：100A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8mR @20A,10V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IPD034N06N3GATMA1-JSM
- 商品编号
- C52948799
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3652克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.717nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.089nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- IPP072N10N3GXKSA1-JSM
- IPB123N10N3GATMA1-JSM
- IRF1310NSTRLPBF-JSM
- IPP50CN10NGHKSA1-JSM
- IPD031N06L3GATMA1-JSM
- BUK98150-55A/CUF -JSM
- XDPS2BF11
- 8c*4pc-jl
- TYPEC-300D-BCP16H65
- TYPEC-300D-BCP16L20
- TYPE-C-517-LDRH130
- TYPE-C-1105-LJRH1040
- YA16MUBCE2O
- YA20MUBCE2O
- YA25MUBCE2O
- YA24MUBCE2O
- YA27MUBCE2O
- YC37.4MUBCE2O
- YC13.56MUBCE2O
- YC19.2MQBCD2XT
- YC37.4MFBCD2XT