IPI60R125CP
1个N沟道 耐压:600V 电流:25A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPI60R125CP
- 商品编号
- C536989
- 商品封装
- TO-262-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V,16A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 非常适用于高频开关和同步整流。
- 出色的栅极电荷与导通状态漏源电阻（RDS(on)）乘积（品质因数）。
- 极低的导通电阻RDS(on)。
- N沟道，常电平。
- 100%雪崩测试。
- 无铅镀层；符合RoHS标准。
- 针对目标应用通过JEDEC认证。
- 根据IEC61249-2-21标准无卤。