IPI60R099CP
1个N沟道 耐压:650V 电流:31A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPI60R099CP
- 商品编号
- C536987
- 商品封装
- TO-262-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 255W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TO220封装下全球最佳的导通电阻(Rds,on)
- 超低栅极电荷
- 极高的dv/dt额定值
- 高峰值电流能力
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
应用领域
- 服务器和电信领域的硬开关开关电源(SMPS)拓扑