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IPI120N06S4-02引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPI120N06S4-02

N沟道增强型OptiMOs-T2功率晶体管,AEC认证,MSL1可达260°C回流峰温,绿色产品,100%雪崩测试

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商品型号
IPI120N06S4-02
商品编号
C536975
商品封装
TO-262-3​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))2.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)188W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)195nC@10V
输入电容(Ciss)15.75nF
反向传输电容(Crss)220pF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • N沟道 - 增强型
  • 通过AEC认证
  • 湿敏等级1级,最高回流焊峰值温度达260°C
  • 工作温度达175°C
  • 绿色产品(符合RoHS标准)
  • 100%雪崩测试

数据手册PDF