我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
预售商品
IPB60R090CFD7实物图
  • IPB60R090CFD7商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPB60R090CFD7

IPB60R090CFD7

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
商品型号
IPB60R090CFD7
商品编号
C536603
商品封装
TO-263-3​
包装方式
编带
商品毛重
1.859克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)-
连续漏极电流(Id)16A
导通电阻(RDS(on))90mΩ@10V,11.4A
耗散功率(Pd)124W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)51nC@10V
输入电容(Ciss)2.103nF@400V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
配置-

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的换代产品,是针对移相全桥(ZVS)和LLC等软开关应用量身定制的优化平台。凭借降低的栅极电荷(Qg)、同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)以及改善的关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合,且在设计导入过程中易于实施。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。总体而言,CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便、更凉爽。

商品特性

  • 超快体二极管
  • 低栅极电荷
  • 同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)
  • 改善的MOSFET反向二极管dv/dt和diF/dt鲁棒性
  • 最低的品质因数RDS(on)*Qg和RDS(on)*Eoss
  • 贴片(SMD)和通孔(THD)封装中同类最佳的RDS(on)

应用领域

  • 适用于软开关拓扑
  • 针对移相全桥(ZVS)、LLC应用进行优化——服务器、电信、电动汽车充电

数据手册PDF