MBR140ESFT1G-HXY

MBR140ESFT1G-HXY

描述

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为1000μA，在同类器件中处于合理范围。器件可承受高达9A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及低压高频电路等场景，具备良好的热稳定性和开关特性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

MBR140ESFT1G-HXY

商品编号

C52754445

商品封装

SOD-123​

包装方式

编带

商品毛重

0.029克(g)