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MBR120ESFT3G-HXY实物图
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MBR120ESFT3G-HXY

MBR120ESFT3G-HXY

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描述
该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为1A，最大反向电压为20V，正向压降典型值为0.55V，在保持低导通损耗的同时具备良好的高频特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压输出场合。其低VF特性有助于减少系统功耗，提升整体能效表现。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
MBR120ESFT3G-HXY
商品编号
C52754455
商品封装
SOD-123FL​
包装方式
编带
商品毛重
0.034343克(g)

商品参数

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