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NRVB120ESFT3G-HXY实物图
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NRVB120ESFT3G-HXY

NRVB120ESFT3G-HXY

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描述
该肖特基二极管为独立式配置，具有1A的额定正向电流和20V的最大反向电压，正向压降典型值为0.55V，体现出较低的导通损耗。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率敏感的低压整流、高频开关电源中的续流路径以及信号解调等场景。其低VF特性有助于在紧凑型电子系统中减少发热，提升运行稳定性。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
NRVB120ESFT3G-HXY
商品编号
C52754456
商品封装
SOD-123FL​
包装方式
编带
商品毛重
0.0345克(g)

商品参数

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