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BSC011N10HS-B(KTP)
N沟道100V MOSFET，具备低导通电阻SGT技术、低热阻、快速开关速度和100%雪崩测试特性
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- 描述
- 应用于DC/DC转换、功率开关、电机驱动等
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- BSC011N10HS-B(KTP)
- 商品编号
- C52747985
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.0059克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 431W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 260nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 15.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.93nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低导通电阻(RDS(on))SGT技术
- 低热阻
- 快速开关速度
- 100%雪崩测试
应用领域
-直流-直流转换-电源开关
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