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BSC023N10HS(KTP)实物图
  • BSC023N10HS(KTP)商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC023N10HS(KTP)

N沟道SGT功率MOSFET,具备低导通电阻、低热阻、快速开关速度和100%雪崩测试特性,适用于DC/DC转换、电源开关和电机驱动

描述
应用于DC/DC转换、功率开关、电机驱动等
品牌名称
KTP(科泰普)
商品型号
BSC023N10HS(KTP)
商品编号
C52747987
商品封装
TOLL-8​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))1.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)250W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)176nC
属性参数值
输入电容(Ciss)10.133nF
反向传输电容(Crss)51pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)1.326nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 低导通电阻(RDS(on))SGT技术
  • 低热阻
  • 快速开关速度
  • 100%雪崩测试

应用领域

  • 直流-直流转换
  • 电源开关
  • 电机驱动

数据手册PDF