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MDD05N10C
MDD05N10C
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- 描述
- 100V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD05N10C
- 商品编号
- C52741846
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033805克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 810pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 44pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用MDD半导体的先进功率沟槽工艺技术制造。该工艺经过优化,可将导通电阻降至最低,同时凭借同类最佳的软体二极管保持出色的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 5 A时,最大RDS(ON)= 105 mΩ
- 低反向恢复电荷Qrr
- 无铅电镀
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- DC-DC转换器
- 电源管理